casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / KSD363OTU
Número da peça de fabricante | KSD363OTU |
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Número da peça futura | FT-KSD363OTU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
KSD363OTU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 6A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 120V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 1A, 5V |
Potência - Max | 40W |
Freqüência - Transição | 10MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSD363OTU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | KSD363OTU-FT |
FJP5021OVTU
ON Semiconductor
FJP5021R
ON Semiconductor
FJP5021RTU
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FJP5021RV
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FJP5021RVTU
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FJP5021Y
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FJP5027O
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FJP5027R
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FJP5027RHTU
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FJP5027TU
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LCMXO640C-4T100I
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XA3S100E-4CPG132I
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XC4013XL-1PQ208I
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A3PN060-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7H3F35C2
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XC2VP4-5FF672C
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LFE2-6E-5FN256C
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3LG
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5CGXBC9E6F35C7N
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