casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / KSD227GBU
Número da peça de fabricante | KSD227GBU |
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Número da peça futura | FT-KSD227GBU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
KSD227GBU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 300mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 25V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 30mA, 300mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 50mA, 1V |
Potência - Max | 400mW |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSD227GBU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | KSD227GBU-FT |
FJN965BU
ON Semiconductor
FJNS7565BU
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FPN560
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FPN560A
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XC6VLX75T-L1FFG484I
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AGLN125V2-ZCSG81
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EPF10K250EFC672-2
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5SGXMB5R1F43I2N
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LFE2-50SE-6F484C
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