casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / KSD2012YTU
Número da peça de fabricante | KSD2012YTU |
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Número da peça futura | FT-KSD2012YTU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
KSD2012YTU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 3A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 2A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 5V |
Potência - Max | 25W |
Freqüência - Transição | 3MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSD2012YTU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | KSD2012YTU-FT |
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Microsemi Corporation
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10M04SFE144C8G
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5AGXMA3D4F27C5N
Intel
A42MX16-PL84A
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM81TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E2F29E1HG
Intel