casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / KSD1616LPWD
Número da peça de fabricante | KSD1616LPWD |
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Número da peça futura | FT-KSD1616LPWD |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
KSD1616LPWD Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 50mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 100mA, 2V |
Potência - Max | 750mW |
Freqüência - Transição | 160MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSD1616LPWD Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | KSD1616LPWD-FT |
FJN5471BU
ON Semiconductor
FJN5471PWD
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M1A3P400-FG484
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APA600-BGG456I
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EPF10K50SFC256-2
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5SGSMD8K3F40C4N
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XCV100-4BG256C
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XC7A200T-L1FBG484I
Xilinx Inc.
LFE2-50E-7FN672C
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LCMXO2-640ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
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EP4CE115F29I8L
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