casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / KSB811GBU
Número da peça de fabricante | KSB811GBU |
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Número da peça futura | FT-KSB811GBU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
KSB811GBU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 25V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 1V |
Potência - Max | 350mW |
Freqüência - Transição | 110MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92S |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSB811GBU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | KSB811GBU-FT |
KSC2682OSTU
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KSC2682YS
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