casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / KSB1151YSTSSTU
Número da peça de fabricante | KSB1151YSTSSTU |
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Número da peça futura | FT-KSB1151YSTSSTU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
KSB1151YSTSSTU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 5A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 200mA, 2A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 2A, 1V |
Potência - Max | 1.3W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-126-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSB1151YSTSSTU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | KSB1151YSTSSTU-FT |
MJE800STU
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KSE350STU
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Xilinx Inc.
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5SGXEA7K3F40C2
Intel
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-2BG332I
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