casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / KSA709GBU
Número da peça de fabricante | KSA709GBU |
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Número da peça futura | FT-KSA709GBU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
KSA709GBU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 700mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 150V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 20mA, 200mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 50mA, 2V |
Potência - Max | 800mW |
Freqüência - Transição | 50MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSA709GBU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | KSA709GBU-FT |
BC556CBU
ON Semiconductor
BC556_J18Z
ON Semiconductor
BC557
ON Semiconductor
BC557,116
NXP USA Inc.
BC557ABU
ON Semiconductor
BC557B
ON Semiconductor
BC557B,116
NXP USA Inc.
BC557B,126
NXP USA Inc.
BC557BBU
ON Semiconductor
BC557BG
ON Semiconductor
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel