casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / KBU2510-G
Número da peça de fabricante | KBU2510-G |
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Número da peça futura | FT-KBU2510-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
KBU2510-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 3.6A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12.5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, KBU |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | KBU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBU2510-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | KBU2510-G-FT |
DF1501S-T
Diodes Incorporated
DF1508S-T
Diodes Incorporated
DF10S-T
Diodes Incorporated
DF06S-T
Diodes Incorporated
DF1510S-T
Diodes Incorporated
DF1504S-T
Diodes Incorporated
DF01S-T
Diodes Incorporated
DF1506S-T
Diodes Incorporated
DF005S-T
Diodes Incorporated
DF15005S-T
Diodes Incorporated
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel