casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / KBU1010-G
Número da peça de fabricante | KBU1010-G |
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Número da peça futura | FT-KBU1010-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
KBU1010-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, KBU |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | KBU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBU1010-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | KBU1010-G-FT |
DF06S-T
Diodes Incorporated
DF1510S-T
Diodes Incorporated
DF1504S-T
Diodes Incorporated
DF01S-T
Diodes Incorporated
DF1506S-T
Diodes Incorporated
DF005S-T
Diodes Incorporated
DF15005S-T
Diodes Incorporated
DF08S-T
Diodes Incorporated
DF04S-T
Diodes Incorporated
DF1504S
Diodes Incorporated
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel