casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / JANTXV2N6770
Número da peça de fabricante | JANTXV2N6770 |
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Número da peça futura | FT-JANTXV2N6770 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/543 |
JANTXV2N6770 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-204AE (TO-3) |
Pacote / caso | TO-204AE |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6770 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANTXV2N6770-FT |
JAN2N6760
Microsemi Corporation
JAN2N6762
Microsemi Corporation
JAN2N6764
Microsemi Corporation
JAN2N6764T1
Microsemi Corporation
JAN2N6766
Microsemi Corporation
JAN2N6766T1
Microsemi Corporation
JAN2N6768
Microsemi Corporation
JAN2N6768T1
Microsemi Corporation
JAN2N6770
Microsemi Corporation
JAN2N6770T1
Microsemi Corporation
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
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ICE40LP640-SWG16TR50
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A40MX02-PLG68M
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A42MX16-2TQG176
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LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
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EPF6016AFC100-3N
Intel