casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / JANTXV2N5666S
Número da peça de fabricante | JANTXV2N5666S |
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Número da peça futura | FT-JANTXV2N5666S |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/455 |
JANTXV2N5666S Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 5A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 200V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5A, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 200nA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1A, 5V |
Potência - Max | 1.2W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-39 (TO-205AD) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N5666S Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANTXV2N5666S-FT |
JAN2N6306
Microsemi Corporation
JAN2N6308
Microsemi Corporation
JAN2N6383
Microsemi Corporation
JAN2N6384
Microsemi Corporation
JAN2N6674
Microsemi Corporation
JAN2N6675
Microsemi Corporation
JAN2N6676
Microsemi Corporation
JAN2N6678
Microsemi Corporation
JAN2N7369
Microsemi Corporation
APT27ZTR-G1
Diodes Incorporated
XCS10-4TQ144C
Xilinx Inc.
XCV600E-6FG676I
Xilinx Inc.
A3P600-FG484
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP1M120F484C8ES
Intel
EPF10K100EFC484-3
Intel
EP2SGX90EF1152C4
Intel
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG332I
Lattice Semiconductor Corporation