casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / JANTXV2N5415
Número da peça de fabricante | JANTXV2N5415 |
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Número da peça futura | FT-JANTXV2N5415 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/485 |
JANTXV2N5415 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 200V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Potência - Max | 750mW |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-5 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N5415 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANTXV2N5415-FT |
JAN2N6283
Microsemi Corporation
JAN2N6287
Microsemi Corporation
JAN2N6298
Microsemi Corporation
JAN2N6300
Microsemi Corporation
JAN2N6306
Microsemi Corporation
JAN2N6308
Microsemi Corporation
JAN2N6383
Microsemi Corporation
JAN2N6384
Microsemi Corporation
JAN2N6674
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JAN2N6675
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-6TN144I
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XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256I
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LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I5N
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EPF10K50VBI356-4
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EPF10K30EQC208-2N
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