casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / JANTXV2N3810
Número da peça de fabricante | JANTXV2N3810 |
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Número da peça futura | FT-JANTXV2N3810 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/336 |
JANTXV2N3810 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 50mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
Potência - Max | 350mW |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-78-6 Metal Can |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-78-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3810 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANTXV2N3810-FT |
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Xilinx Inc.
A54SX32A-2BG329I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7FN900C
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5SGSMD3H1F35C1N
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