casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / JANTXV2N3637UB
Número da peça de fabricante | JANTXV2N3637UB |
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Número da peça futura | FT-JANTXV2N3637UB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/357 |
JANTXV2N3637UB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 175V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
Potência - Max | 1.5W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 3-SMD, No Lead |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 3-SMD |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3637UB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANTXV2N3637UB-FT |
BC849CW RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC850AW RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC850BW RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC850CW RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
2SA1303
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M2GL050T-FCSG325
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5SGXEA3K1F40C2N
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EP4SE360H29C3N
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10AX032E3F27E2LG
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10AX022E4F29I3LG
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XA7A35T-1CPG236Q
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LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
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EP3SE110F780C2N
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EP3SL110F780I4L
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