casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / JANTXV2N3636L
Número da peça de fabricante | JANTXV2N3636L |
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Número da peça futura | FT-JANTXV2N3636L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/357 |
JANTXV2N3636L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 175V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 10V |
Potência - Max | 1W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-5 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3636L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANTXV2N3636L-FT |
JANTX2N2906AL
Microsemi Corporation
JANTX2N2907AUA/TR
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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XC4013XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
A3PN060-VQ100I
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5SGXMA7H3F35C2
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XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE2-6E-5FN256C
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3LG
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5CGXBC9E6F35C7N
Intel