casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / JANTXV1N5807
Número da peça de fabricante | JANTXV1N5807 |
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Número da peça futura | FT-JANTXV1N5807 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JANTXV1N5807 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 30ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacitância @ Vr, F | 65pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | B, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N5807 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANTXV1N5807-FT |
NRVHPRS1KFA
ON Semiconductor
STBR3012G2-TR
STMicroelectronics
STPSC12065G-TR
STMicroelectronics
STPSC12065G2Y-TR
STMicroelectronics
STPSC8H065G2Y-TR
STMicroelectronics
STTH15RQ06G2-TR
STMicroelectronics
STTH15RQ06G2Y-TR
STMicroelectronics
STTH30RQ06G2-TR
STMicroelectronics
STTH30RQ06G2Y-TR
STMicroelectronics
VS-60HFUR-300
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel