casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / JANTX2N3637L
Número da peça de fabricante | JANTX2N3637L |
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Número da peça futura | FT-JANTX2N3637L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/357 |
JANTX2N3637L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 175V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
Potência - Max | 1W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-5 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N3637L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANTX2N3637L-FT |
JANSR2N5152U3
Microsemi Corporation
JANSR2N5153
Microsemi Corporation
JANSR2N5153U3
Microsemi Corporation
DSS5220TQ-13
Diodes Incorporated
2N4058
Central Semiconductor Corp
2N5366
Central Semiconductor Corp
BC212B
Central Semiconductor Corp
BCX38A
Central Semiconductor Corp
BC807-16W RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC807-25W RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
A42MX36-FBG272
Microsemi Corporation
AFS1500-2FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2LN
Intel
EP4SGX290NF45C4
Intel
EP3SL110F1152I4L
Intel
XC6VLX195T-1FF1156I
Xilinx Inc.