casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / JANS2N5666U3
Número da peça de fabricante | JANS2N5666U3 |
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Número da peça futura | FT-JANS2N5666U3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/455 |
JANS2N5666U3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 5A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 200V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 1A, 5A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 200nA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1A, 5V |
Potência - Max | 1.5W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 3-SMD, Flat Leads |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | U3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS2N5666U3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANS2N5666U3-FT |
JAN2N3420
Microsemi Corporation
JAN2N3441
Microsemi Corporation
JAN2N3442
Microsemi Corporation
JAN2N3467L
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JAN2N3585
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XC4005XL-3TQ144C
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100I
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A3P060-1VQG100I
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5CEFA7F27C6N
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EP4CE6E22I8LN
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