casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / JANS2N5415
Número da peça de fabricante | JANS2N5415 |
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Número da peça futura | FT-JANS2N5415 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/485 |
JANS2N5415 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 200V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Potência - Max | 750mW |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-5 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS2N5415 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANS2N5415-FT |
JAN2N2432A
Microsemi Corporation
JAN2N2906AL
Microsemi Corporation
JAN2N3250A
Microsemi Corporation
JAN2N3251A
Microsemi Corporation
JAN2N3251AUB
Microsemi Corporation
JAN2N335
Microsemi Corporation
JAN2N3420
Microsemi Corporation
JAN2N3441
Microsemi Corporation
JAN2N3442
Microsemi Corporation
JAN2N3467L
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel