casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / JANS1N6491US
Número da peça de fabricante | JANS1N6491US |
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Número da peça futura | FT-JANS1N6491US |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/406 |
JANS1N6491US Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 5.6V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 1.5W |
Impedância (Max) (Zzt) | 5 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 2V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 1A |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | SQ-MELF, A |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-5A |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N6491US Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANS1N6491US-FT |
JAN1N6343US
Microsemi Corporation
JAN1N6344
Microsemi Corporation
JAN1N6346US
Microsemi Corporation
JAN1N6347US
Microsemi Corporation
JAN1N6348
Microsemi Corporation
JAN1N6348US
Microsemi Corporation
JAN1N6349US
Microsemi Corporation
JAN1N6350US
Microsemi Corporation
JAN1N6351
Microsemi Corporation
JAN1N6351US
Microsemi Corporation
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XA7A75T-2FGG484I
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF23I7N
Intel
10M25DCF256A7G
Intel
EP3C10F256C8
Intel
10AX032H2F34I2LG
Intel
XC5VSX35T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I5N
Intel