casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / JANS1N6317D
Número da peça de fabricante | JANS1N6317D |
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Número da peça futura | FT-JANS1N6317D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/533 |
JANS1N6317D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 5.1V |
Tolerância | ±1% |
Potência - Max | 500mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 14 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 2V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1A |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | B, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-35 (DO-204AH) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N6317D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANS1N6317D-FT |
JAN1N6316CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6316D
Microsemi Corporation
JAN1N6316DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6317C
Microsemi Corporation
JAN1N6317CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6317D
Microsemi Corporation
JAN1N6317DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6317US
Microsemi Corporation
JAN1N6318C
Microsemi Corporation
JAN1N6318CUS
Microsemi Corporation
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XA7A75T-2FGG484I
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF23I7N
Intel
10M25DCF256A7G
Intel
EP3C10F256C8
Intel
10AX032H2F34I2LG
Intel
XC5VSX35T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I5N
Intel