casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / JANS1N6312
Número da peça de fabricante | JANS1N6312 |
---|---|
Número da peça futura | FT-JANS1N6312 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/533 |
JANS1N6312 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 3.3V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 500mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 27 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 1V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1A |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-35 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N6312 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANS1N6312-FT |
JAN1N6309CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6309D
Microsemi Corporation
JAN1N6309DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6310C
Microsemi Corporation
JAN1N6310CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6310D
Microsemi Corporation
JAN1N6310DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6311C
Microsemi Corporation
JAN1N6311CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6311DUS
Microsemi Corporation
XC7A35T-1FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
EP4S100G5H40I2
Intel
AGL1000V2-FG144
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D4F31I5N
Intel