casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / JANS1N6312US/TR
Número da peça de fabricante | JANS1N6312US/TR |
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Número da peça futura | FT-JANS1N6312US/TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/533 |
JANS1N6312US/TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 3.3V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 500mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 27 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 1V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1A |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SQ-MELF, B |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | B, SQ-MELF |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N6312US/TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANS1N6312US/TR-FT |
JAN1N6310DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6311C
Microsemi Corporation
JAN1N6311CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6311DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6312C
Microsemi Corporation
JAN1N6312CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6312D
Microsemi Corporation
JAN1N6312DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6312US/TR
Microsemi Corporation
JAN1N6313C
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-5SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F672I4
Intel
EP3C25U256C6
Intel
5SGSMD8K3F40I3
Intel
5SGSMD5H2F35I2N
Intel
EP2SGX60EF1152C3
Intel
XC5VLX110-1FF1760C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C4N
Intel
EPF10K100EQC240-2N
Intel