casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / JANS1N5617US
Número da peça de fabricante | JANS1N5617US |
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Número da peça futura | FT-JANS1N5617US |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/427 |
JANS1N5617US Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 150ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 400V |
Capacitância @ Vr, F | 35pF @ 12V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SQ-MELF, A |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-5A |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 200°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N5617US Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANS1N5617US-FT |
JANTXV1N5417
Microsemi Corporation
JANTXV1N4249
Microsemi Corporation
JANTXV1N4150-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N3595-1
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JANTX1N3671A
Microsemi Corporation
CDLL5711
Microsemi Corporation
1N4454UR-1
Microsemi Corporation
1N914UR
Microsemi Corporation
CDLL5195
Microsemi Corporation
CDLL5712
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
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XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
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A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel