casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / JAN2N6353
Número da peça de fabricante | JAN2N6353 |
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Número da peça futura | FT-JAN2N6353 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/472 |
JAN2N6353 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 5A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 150V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 10mA, 5A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 5V |
Potência - Max | 2W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-213AA, TO-66-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-66 (TO-213AA) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6353 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN2N6353-FT |
FJZ945OTF
ON Semiconductor
FJZ945YTF
ON Semiconductor
FMS1AT148
Rohm Semiconductor
FMW3T148
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FPN330
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FPN330A
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FPN430
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FPN430A
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FPN530
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LCMXO1200C-4T100C
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XC7A100T-2FTG256I
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A42MX16-3PQG208
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10M25DCF256C8G
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10AX022E3F27E2LG
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EP4SE530F43C2
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LFE2M70SE-6FN900I
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10AX115R3F40I2SGES
Intel