casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / JAN2N6052
Número da peça de fabricante | JAN2N6052 |
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Número da peça futura | FT-JAN2N6052 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/501 |
JAN2N6052 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 12A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 100V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 120mA, 12A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 6A, 3V |
Potência - Max | 150W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3 (TO-204AA) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6052 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN2N6052-FT |
JANTX2N2484UB
Microsemi Corporation
JANTX2N2904AL
Microsemi Corporation
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JANTX2N3501L
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EP2C8T144I8
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LCMXO2280E-4TN144C
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XC6SLX75-3CSG484C
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XC3S700A-4FG400I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-7LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2
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5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
XC2V2000-5BG575I
Xilinx Inc.
EPF6016QC208-3
Intel