casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / JAN2N5666S
Número da peça de fabricante | JAN2N5666S |
---|---|
Número da peça futura | FT-JAN2N5666S |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/455 |
JAN2N5666S Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 5A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 200V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5A, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 200nA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1A, 5V |
Potência - Max | 1.2W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-39 (TO-205AD) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N5666S Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN2N5666S-FT |
DXTN07025BFG-7
Diodes Incorporated
DXTN07045DFG-7
Diodes Incorporated
DXTN07060BFG-7
Diodes Incorporated
DXTN07100BFG-7
Diodes Incorporated
DXTP07025BFG-7
Diodes Incorporated
DXTP07040CFG-7
Diodes Incorporated
DXTP07060BFG-7
Diodes Incorporated
DXTP07100BFG-7
Diodes Incorporated
EN2222A
Central Semiconductor Corp
EN2907A
Central Semiconductor Corp
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
P1AFS1500-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K250EFC672-2
Intel
5SGSED8K2F40I3N
Intel
5SGXMB5R1F43I2N
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144T
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation