casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / JAN2N3419S
Número da peça de fabricante | JAN2N3419S |
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Número da peça futura | FT-JAN2N3419S |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/393 |
JAN2N3419S Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 3A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 80V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 1A, 2V |
Potência - Max | 1W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-39 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3419S Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN2N3419S-FT |
HS2369A
Microsemi Corporation
HS2907A
Microsemi Corporation
JAN2N2218
Microsemi Corporation
JAN2N2218AL
Microsemi Corporation
JAN2N2221AL
Microsemi Corporation
JAN2N2221AUA
Microsemi Corporation
JAN2N2221AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2369AUA
Microsemi Corporation
JAN2N2369AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2484UA
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-4TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-L1FGG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FG484C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
EP2S15F672C4
Intel
10M08SCU169C8G
Intel
XC5VSX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XCS30-4BG256C
Xilinx Inc.
10AX115S1F45I2SGES
Intel
EP20K600EFC33-3
Intel