casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / JAN2N2857UB
Número da peça de fabricante | JAN2N2857UB |
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Número da peça futura | FT-JAN2N2857UB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
JAN2N2857UB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 15V |
Freqüência - Transição | - |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 4.5dB @ 450MHz |
Ganho | 21dB |
Potência - Max | 200mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 3mA, 1V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 40mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 3-SMD, No Lead |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | UB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N2857UB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN2N2857UB-FT |
48042
Microsemi Corporation
58048
Microsemi Corporation
60099H
Microsemi Corporation
60158
Microsemi Corporation
60159
Microsemi Corporation
60168
Microsemi Corporation
60180
Microsemi Corporation
60189
Microsemi Corporation
60205
Microsemi Corporation
60206
Microsemi Corporation
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XA2S200E-6FT256I
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XC7K410T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
XC7A35T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
Intel
5SGXEA7K3F35C4N
Intel
XC7VX330T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C4N
Intel
EPF10K50VBC356-3N
Intel