casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / JAN1N6642UBD
Número da peça de fabricante | JAN1N6642UBD |
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Número da peça futura | FT-JAN1N6642UBD |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/578 |
JAN1N6642UBD Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Atual - Média Retificada (Io) | 300mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 5ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 75V |
Capacitância @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 3-SMD, No Lead |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 3-UB (3.09x2.45) |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6642UBD Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN1N6642UBD-FT |
EGP31D-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31F-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31F-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31G-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31G-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51A-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51A-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51B-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51B-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51C-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation