casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / JAN1N6622US
Número da peça de fabricante | JAN1N6622US |
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Número da peça futura | FT-JAN1N6622US |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/585 |
JAN1N6622US Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 660V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.2A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 30ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 660V |
Capacitância @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SQ-MELF, A |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-5A |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6622US Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN1N6622US-FT |
IRKE166/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE166/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE166/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE196/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE196/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE196/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE196/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE236/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE236/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE236/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel