casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / JAN1N6620US
Número da peça de fabricante | JAN1N6620US |
---|---|
Número da peça futura | FT-JAN1N6620US |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/585 |
JAN1N6620US Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 220V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 2A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 30ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 220V |
Capacitância @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SQ-MELF, A |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-5A |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6620US Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN1N6620US-FT |
CDLL6676
Microsemi Corporation
CDLL4150
Microsemi Corporation
CDLL4153
Microsemi Corporation
1N3595UR-1
Microsemi Corporation
1N4153UR-1
Microsemi Corporation
1N4938UR-1
Microsemi Corporation
CDLL3600
Microsemi Corporation
CDLL4148
Microsemi Corporation
CDLL4454
Microsemi Corporation
1N4531UR
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel