casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / JAN1N6170
Número da peça de fabricante | JAN1N6170 |
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Número da peça futura | FT-JAN1N6170 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6170 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Zener |
Canais unidirecionais | - |
Canais Bidirecionais | 1 |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 114V |
Tensão - Breakdown (Min) | 135.38V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | 216.62V |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | 6.94A |
Potência - Pulso de Pico | 1500W (1.5kW) |
Proteção de linha de energia | No |
Aplicações | General Purpose |
Capacitância @ Frequência | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | C, Axial |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6170 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN1N6170-FT |
JAN1N6137AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6137US
Microsemi Corporation
JAN1N6138
Microsemi Corporation
JAN1N6138A
Microsemi Corporation
JAN1N6138AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6138US
Microsemi Corporation
JAN1N6139
Microsemi Corporation
JAN1N6139AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6139US
Microsemi Corporation
JAN1N6140
Microsemi Corporation
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
AGLN250V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5
Intel
EP3SE50F484I4L
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQ176
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100FC324-1X
Intel