casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / JAN1N6170AUS
Número da peça de fabricante | JAN1N6170AUS |
---|---|
Número da peça futura | FT-JAN1N6170AUS |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6170AUS Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Zener |
Canais unidirecionais | - |
Canais Bidirecionais | 1 |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 114V |
Tensão - Breakdown (Min) | 142.5V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | 206.3V |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | 7.3A |
Potência - Pulso de Pico | 1500W (1.5kW) |
Proteção de linha de energia | No |
Aplicações | General Purpose |
Capacitância @ Frequência | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SQ-MELF, C |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | C, SQ-MELF |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6170AUS Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN1N6170AUS-FT |
JAN1N6137US
Microsemi Corporation
JAN1N6138
Microsemi Corporation
JAN1N6138A
Microsemi Corporation
JAN1N6138AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6138US
Microsemi Corporation
JAN1N6139
Microsemi Corporation
JAN1N6139AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6139US
Microsemi Corporation
JAN1N6140
Microsemi Corporation
JAN1N6140AUS
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel