casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / JAN1N6117
Número da peça de fabricante | JAN1N6117 |
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Número da peça futura | FT-JAN1N6117 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6117 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Zener |
Canais unidirecionais | - |
Canais Bidirecionais | 1 |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 22.8V |
Tensão - Breakdown (Min) | 27.08V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | 43.68V |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | 11.4A |
Potência - Pulso de Pico | 500W |
Proteção de linha de energia | No |
Aplicações | General Purpose |
Capacitância @ Frequência | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | B, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6117 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN1N6117-FT |
IP4340CX15/P,135
Nexperia USA Inc.
IP4342CX5/LF,135
NXP USA Inc.
IP4350CX24/LF,135
NXP USA Inc.
IP4357CX17,135
NXP USA Inc.
IP4363CX10/LF,135
NXP USA Inc.
JAN1N5555
Microsemi Corporation
JAN1N5556
Microsemi Corporation
JAN1N5558
Microsemi Corporation
JAN1N5610
Microsemi Corporation
JAN1N5612
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel