casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / JAN1N5809US
Número da peça de fabricante | JAN1N5809US |
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Número da peça futura | FT-JAN1N5809US |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JAN1N5809US Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 6A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 30ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SQ-MELF, B |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | B, SQ-MELF |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5809US Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN1N5809US-FT |
B150AE-13
Diodes Incorporated
B160AE-13
Diodes Incorporated
B220AE-13
Diodes Incorporated
B230AE-13
Diodes Incorporated
B245AE-13
Diodes Incorporated
B250AE-13
Diodes Incorporated
B260AE-13
Diodes Incorporated
B330AE-13
Diodes Incorporated
B345AE-13
Diodes Incorporated
B350AE-13
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation