casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / JAN1N5617
Número da peça de fabricante | JAN1N5617 |
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Número da peça futura | FT-JAN1N5617 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/429 |
JAN1N5617 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 150ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 400V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | A, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5617 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN1N5617-FT |
1N4531UR
Microsemi Corporation
1N483BUR
Microsemi Corporation
1N485BUR
Microsemi Corporation
1N645UR-1
Microsemi Corporation
CDLL0.2A20
Microsemi Corporation
CDLL0.2A30
Microsemi Corporation
CDLL0.2A40
Microsemi Corporation
CDLL0.5A20
Microsemi Corporation
CDLL0.5A30
Microsemi Corporation
CDLL0.5A40
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel