casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / JAN1N5551US
Número da peça de fabricante | JAN1N5551US |
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Número da peça futura | FT-JAN1N5551US |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/420 |
JAN1N5551US Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 9A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 2µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SQ-MELF, B |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-5B |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5551US Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN1N5551US-FT |
VSSAF5M12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M12HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M12HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M15HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M15HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M6HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology
A42MX24-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6N
Intel
EPF10K30RC240-3
Intel
EP20K400ERC208-3
Intel