casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / JAN1N5550US

| Número da peça de fabricante | JAN1N5550US |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-JAN1N5550US |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | Military, MIL-PRF-19500/420 |
| JAN1N5550US Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
| Tipo de Diodo | Standard |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 9A |
| Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 2µs |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 200V |
| Capacitância @ Vr, F | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | SQ-MELF, B |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-5B |
| Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| JAN1N5550US Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | JAN1N5550US-FT |

IRD3CH11DF6
Infineon Technologies

IRD3CH16DB6
Infineon Technologies

IRD3CH16DD6
Infineon Technologies

IRD3CH16DF6
Infineon Technologies

IRD3CH24DB6
Infineon Technologies

IRD3CH24DD6
Infineon Technologies

IRD3CH24DF6
Infineon Technologies

IRD3CH31DB6
Infineon Technologies

IRD3CH31DD6
Infineon Technologies

IRD3CH31DF6
Infineon Technologies

A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation

LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation

EP1S10F484C6N
Intel

EP20K30EFC144-3
Intel

5CGXFC4F6M11C6N
Intel

XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.

XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.

XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.

LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation

EP3SL110F780C4
Intel