casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / JAN1N3768
Número da peça de fabricante | JAN1N3768 |
---|---|
Número da peça futura | FT-JAN1N3768 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/297 |
JAN1N3768 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 35A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 110A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis, Stud Mount |
Pacote / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-5 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N3768 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN1N3768-FT |
IDT04S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDT05S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDT06S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDT08S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDT10S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDT16S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDY10S120XKSA1
Infineon Technologies
IDY15S120XKSA1
Infineon Technologies
IRD3CH101DB6
Infineon Technologies
IRD3CH101DD6
Infineon Technologies
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation