casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / JAN1N3612
Número da peça de fabricante | JAN1N3612 |
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Número da peça futura | FT-JAN1N3612 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/228 |
JAN1N3612 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 300V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | A, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N3612 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN1N3612-FT |
JANTX1N5811
Microsemi Corporation
JANS1N5806US
Microsemi Corporation
JANTX1N5806US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5806US
Microsemi Corporation
JANTX1N5802US
Microsemi Corporation
JANTX1N5804US
Microsemi Corporation
JAN1N5802US
Microsemi Corporation
JAN1N5806US
Microsemi Corporation
JAN1N5804US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5802US
Microsemi Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel