casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / JAN1N3174
Número da peça de fabricante | JAN1N3174 |
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Número da peça futura | FT-JAN1N3174 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/211 |
JAN1N3174 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 300A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.55V @ 940A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10mA @ 1000V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis, Stud Mount |
Pacote / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 200°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N3174 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN1N3174-FT |
JANS1N5806US
Microsemi Corporation
JANTX1N5806US
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JANTXV1N5806US
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JANTX1N5802US
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JANTX1N5804US
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JAN1N5802US
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JAN1N5806US
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JAN1N5804US
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JANTXV1N5802US
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JANTXV1N5804US
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A40MX04-VQ80A
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XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
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AFS250-FGG256
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AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel