casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - JFETs / J108_D27Z
Número da peça de fabricante | J108_D27Z |
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Número da peça futura | FT-J108_D27Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
J108_D27Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tensão - Divisão (V (BR) GSS) | 25V |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | - |
Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 80mA @ 15V |
Dreno atual (Id) - Max | - |
Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id | 3V @ 10nA |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Resistência - RDS (On) | 8 Ohms |
Potência - Max | 625mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
J108_D27Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | J108_D27Z-FT |
J112,126
NXP USA Inc.
J113,126
NXP USA Inc.
J174
ON Semiconductor
J174,126
NXP USA Inc.
J175
ON Semiconductor
J175,116
NXP USA Inc.
J176
ON Semiconductor
J176,126
NXP USA Inc.
J177
ON Semiconductor
J177,126
NXP USA Inc.
EPF6010ATC144-2
Intel
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45I3N
Intel
EP4S40G5H40I3N
Intel
A42MX09-FPQ160
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG160I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC6E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40E2SG
Intel