casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - JFETs / J108_D27Z
Número da peça de fabricante | J108_D27Z |
---|---|
Número da peça futura | FT-J108_D27Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
J108_D27Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tensão - Divisão (V (BR) GSS) | 25V |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | - |
Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 80mA @ 15V |
Dreno atual (Id) - Max | - |
Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id | 3V @ 10nA |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Resistência - RDS (On) | 8 Ohms |
Potência - Max | 625mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
J108_D27Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | J108_D27Z-FT |
J112,126
NXP USA Inc.
J113,126
NXP USA Inc.
J174
ON Semiconductor
J174,126
NXP USA Inc.
J175
ON Semiconductor
J175,116
NXP USA Inc.
J176
ON Semiconductor
J176,126
NXP USA Inc.
J177
ON Semiconductor
J177,126
NXP USA Inc.
XC3S50-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200HC-4TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
APA300-CQ352M
Microsemi Corporation
EP4CE15F17I7N
Intel
EP4CE6E22C6
Intel
XC6VLX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-FPQ100
Microsemi Corporation
EP4CE75F29C8N
Intel
EP4SGX230FF35C3
Intel