casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / IXZ308N120
Número da peça de fabricante | IXZ308N120 |
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Número da peça futura | FT-IXZ308N120 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Z-MOS™ |
IXZ308N120 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | N-Channel |
Freqüência | 65MHz |
Ganho | 23dB |
Tensão - Teste | 100V |
Classificação atual | 8A |
Figura de ruído | - |
Atual - teste | - |
Potência | 880W |
Voltagem - Rated | 1200V |
Pacote / caso | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DE375 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXZ308N120 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXZ308N120-FT |
NE3520S03-A
CEL
NE3520S03-T1C-A
CEL
MWT-A973
Microwave Technology Inc.
MWT-773
Microwave Technology Inc.
MWT-173
Microwave Technology Inc.
VRF3933
Microsemi Corporation
VRF2944
Microsemi Corporation
VRF2933FL
Microsemi Corporation
VRF2933
Microsemi Corporation
VRF157FL
Microsemi Corporation
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
10CX085YU484I5G
Intel
EP4CE75F23C9LN
Intel
EP3SL340F1517I4L
Intel
A54SX32A-2BG329
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
A3P400-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F31I5N
Intel