casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IXYH50N65C3D1
Número da peça de fabricante | IXYH50N65C3D1 |
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Número da peça futura | FT-IXYH50N65C3D1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | XPT™, GenX3™ |
IXYH50N65C3D1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 132A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 250A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 36A |
Potência - Max | 600W |
Energia de comutação | 800µJ (on), 800µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 86nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 20ns/90ns |
Condição de teste | 400V, 36A, 5 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 36ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXYH50N65C3D1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXYH50N65C3D1-FT |
FGY75N60SMD
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FGA60N65SMD
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10M40DAF484I6G
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