casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IXYH30N120C3D1
Número da peça de fabricante | IXYH30N120C3D1 |
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Número da peça futura | FT-IXYH30N120C3D1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | GenX3™, XPT™ |
IXYH30N120C3D1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 66A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 133A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3.3V @ 15V, 30A |
Potência - Max | 416W |
Energia de comutação | 2.6mJ (on), 1.1mJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 69nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 19ns/130ns |
Condição de teste | 600V, 30A, 10 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 195ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 (IXYH) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXYH30N120C3D1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXYH30N120C3D1-FT |
IXXH80N65B4
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