casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IXXP50N60B3
Número da peça de fabricante | IXXP50N60B3 |
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Número da peça futura | FT-IXXP50N60B3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | XPT™, GenX3™ |
IXXP50N60B3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 120A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 200A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 36A |
Potência - Max | 600W |
Energia de comutação | 670µJ (on), 1.2mJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 70nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 27ns/150ns |
Condição de teste | 360V, 36A, 5 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 40ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXXP50N60B3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXXP50N60B3-FT |
IXGH30N60B4
IXYS
IXGH30N60BD1
IXYS
IXGH30N60BU1
IXYS
IXGH30N60C2
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