casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IXXH50N60B3D1
Número da peça de fabricante | IXXH50N60B3D1 |
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Número da peça futura | FT-IXXH50N60B3D1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | GenX3™, XPT™ |
IXXH50N60B3D1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | PT |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 120A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 200A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 36A |
Potência - Max | 600W |
Energia de comutação | 670µJ (on), 740µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 70nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 27ns/100ns |
Condição de teste | 360V, 36A, 5 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 25ns |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 (IXXH) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXXH50N60B3D1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXXH50N60B3D1-FT |
IXXR100N60B3H1
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