casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXUN350N10
Número da peça de fabricante | IXUN350N10 |
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Número da peça futura | FT-IXUN350N10 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IXUN350N10 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 350A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 175A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 3mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 640nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 27000pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 830W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-227B |
Pacote / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXUN350N10 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXUN350N10-FT |
IXFN48N60P
IXYS
IXFN50N120SK
IXYS
IXFN64N60P
IXYS
IXFN90N30
IXYS
IXTN110N20L2
IXYS
IXTN17N120L
IXYS
IXTN200N10T
IXYS
IXTN210P10T
IXYS
IXTN240N075L2
IXYS
IXTN32P60P
IXYS
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel