casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTY2R4N50P
Número da peça de fabricante | IXTY2R4N50P |
---|---|
Número da peça futura | FT-IXTY2R4N50P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PolarHV™ |
IXTY2R4N50P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.75 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 25µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 55W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252, (D-Pak) |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTY2R4N50P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IXTY2R4N50P-FT |
IRLR3715ZTRPBF
Infineon Technologies
IRLR3715ZTRR
Infineon Technologies
IRLR3715ZTRRPBF
Infineon Technologies
IRLR3717PBF
Infineon Technologies
IRLR3717TRLPBF
Infineon Technologies
IRLR3717TRPBF
Infineon Technologies
IRLR3717TRRPBF
Infineon Technologies
IRLR3802PBF
Infineon Technologies
IRLR3802TRLPBF
Infineon Technologies
IRLR3802TRPBF
Infineon Technologies